VIP会員
製品の詳細
製品概要：
1.ウエハ全体の三次元反り及びナノ輪郭測定
2.ウェハ薄膜応力測定
3・ウエハマクロ欠陥及び薄膜均一性イメージング。
検出対象：
研磨ウエハ（シリコン、ガリウム砒素、炭化ケイ素等）、
パターン化ウエハ、ボンディングウエハ、パッケージウエハ
業界向け：
半導体ウエハ生産企業、
半導体プロセスプロセス開発
技術パラメータ
技術パラメータ：
|
非接触式フルウェハ反り測定 |
測定対象：研磨ウエハ、図形化ウエハ（円形、四角形、開口など） |
|
均一全口径サンプリング、最小サンプリング間隔：0.1mm |
|
|
検出口径 2 寸- 8寸/12寸全口径（需要に応じて調整可能） |
|
|
自動出力3 Dプロファイル、曲率、フィルム応力、および表面アーティファクト |
|
|
測定ウェハレベリング不要、単回測定時間：10-30s（サンプリング間隔によって変化） |
|
|
三次元反り |
ウェハ反り量範囲：200nm - 10mm（ウエハサイズによる） |
|
輪郭測定局の部分弁別率：20nm |
|
|
輪郭測定の繰り返し精度：100nm |
|
|
ていしゅうはすう-高周波反りソフトウェア解析 |
|
|
フィルム表面検出 |
瑕疵検査：割れ、麻点、不均一 |
|
クラック分解能：50um（ユーザーのニーズに応じて解像度を調整可能） |
|
|
フィルム応力測定 |
測定範囲：2MPa–5000MPa |
|
再現性：2MPa |
|
|
相対精度：1% |
|
|
サンプル温度範囲：室温-300度 |
測定例：
1、8 寸法パターン化ウエハの反り3次元測定
2、表面アーティファクトイメージング
オンライン照会
-
連絡する
-
単位
-
電話番号
-
Eメール
-
ウィーチャット
-
認証コード
-
メッセージの内容
-